高频å˜åŽ‹å™¨çš„ä¸‰æ˜Žæ²»ç»•æ³•ä»‹ç»?/h3>
æ–‡ç« å‡ºå¤„ï¼?a href="">æ·±åœ³å¸‚æ™¨é£žç”µåæœ‰é™å…¬å?/a>网责任编辑:NSW作者:NSW人气ï¼?span
id="cntrHits">-å‘表时间ï¼?016-07-26 16:13:00
高频å˜åŽ‹å™?/a>的两ç§åŸºæœ¬ç»•法:顺åºç»•法和三明治绕法。顺åºç»•法一般的å•输出电æºï¼Œå˜åŽ‹å™¨åˆ†ä¸?span lang="EN-US">3个绕组,åˆçº§ç»•组Np,次级绕组Ns,辅助电æºç»•组Nbï¼Œç»•åˆ¶çš„é¡ºåºæ˜¯ï¼šNp--Ns--Nb。æ¤ç§ç»•法工艺简å•,易于控制ç£èŠ¯çš„å„ç§å‚æ•°ï¼Œä¸€è‡´æ€§è¾ƒå¥½ï¼Œç»•çº¿æˆæœ¬ä½Žï¼Œé€‚用于大批é‡çš„ç”Ÿäº§ï¼Œä½†æ¼æ„Ÿç¨å¤§ï¼Œè€Œè€¦åˆç”µå®¹å°ï¼ŒEMIæ¯”è¾ƒå¥½æ•…é€‚ç”¨äºŽå¯¹æ¼æ„Ÿä¸æ•感的å°åŠŸçŽ‡åœºåˆï¼Œä¸€èˆ¬åŠŸçŽ‡å°äº?span lang="EN-US">30~40W的电æºä¸æ™®é实用这ç§ç»•法ã€?/span>

三明治绕法在电æºå˜åŽ‹å™¨çš„åˆ¶ä½œè¿‡ç¨‹ä¸æ˜¯ä¸€ç§æ¯”较常è§çš„基础绕法。由于被夹在ä¸é—´çš„绕组ä¸åŒï¼Œä¸‰æ˜Žæ²»åˆåˆ†ä¸ºä¸¤ç§ç»•法,å³åˆçº§å¤¹æ¬¡çº§ï¼Œæ¬¡çº§å¤¹åˆçº§ã€‚䏋颿ˆ‘们æ¥åˆ†åˆ«ä»‹ç»ã€?span lang="EN-US">
首先我们æ¥çœ‹ç¬¬ä¸€ç§å¸¸è§çš„高频电æºå˜åŽ‹å™¨ç»•æ³•ï¼Œå³åˆçº§å¤¹æ¬¡çº§çš„绕法。这ç§ç»•法在平时的实际æ“作过程ä¸ä¹Ÿè¢«å«åšåˆçº§å¹³å‡ç»•法ï¼?
在使用这ç§åˆçº§å¹³å‡ç»•法进行电æºå˜åŽ‹å™¨çš„ç»•åˆ¶æ—¶ï¼Œå…¶å…·ä½“ç»•åˆ¶è¿‡ç¨‹å¦‚ä¸Šå›¾æ‰€å±•ç¤ºçš„æ ·å,æ“作顺åºä¸?span lang="EN-US">Np/2-Ns-Np/2-Nbã€?/span>
æŽ¥ä¸‹æ¥æˆ‘们æ¥çœ‹ä¸€ä¸‹é«˜é¢‘电æºå˜åŽ‹å™¨çš„ç¬¬äºŒç§ä¸‰æ˜Žæ²»ç»•法,次级夹åˆçº§çš„绕法。这一绕法有时候也被å«åšæ¬¡çº§å¹³å‡ç»•法,其绕制原ç†å›¾å¦‚下图图2所示,当使用这一 绕制方法进行电æºå˜åŽ‹å™¨çš„ç»•åˆ¶æ—¶ï¼Œç»•åˆ¶é¡ºåºä¸?span lang="EN-US">Ns/2-Np-Ns/2-Nbã€‚å½“è¾“å‡ºæ˜¯ä½ŽåŽ‹å¤§ç”µæµæ—¶ï¼Œä¸€èˆ¬é‡‡ç”¨æ¤ç§ç»•法居多ã€?/span>
1ã€ä¸‰æ˜Žæ²»ç»•法å¯ä»¥å‡å°‘å˜åŽ‹å™¨çš„æ¼æ„Ÿï¼Œè€Œå‡å°‘æ¼æ„Ÿå¸¦æ¥çš„好处是电压尖峰会é™ä½Žï¼Œä½¿MOSFET的电压应力é™ä½?/span>
2ã€æ”¹å–?span lang="EN-US">EMI:由MOSFET与散çƒç‰‡å¼•起的共模干扰电æµä¹Ÿå¯ä»¥é™ä½Žï¼Œä»Žè€Œæ”¹å–?span lang="EN-US">EMI;由于在åˆçº§ä¸é—´åŠ å…¥äº†ä¸€ä¸ªæ¬¡çº§ç»•ç»„ï¼Œæ‰€ä»¥å‡å°‘了å˜åދ噍åˆçº§çš„层间分布电容,而层间电容的å‡å°‘,就会使电路ä¸çš„寄生振è¡å‡å°‘ï¼ŒåŒæ ·å¯ä»¥é™ä½?span lang="EN-US">MOSFET与次级整æµç®¡çš„电压电æµåº”力,改善EMIã€?/span>
以上就是å°ç¼–为大家总结的关äº?/span>高频å˜åŽ‹å™¨çš„ä¸‰æ˜Žæ²»ç»•æ³?/span>的介ç»ï¼Œå¸Œæœ›èƒ½å¤Ÿå¸®åˆ°å¤§å®¶ï¼Œå¦‚果还想了解更多的高频å˜åŽ‹å™?/span>资讯,那就点å‡?/span>高频å˜åŽ‹å™?/span>资讯å§ï¼
ä¸‹ä¸€ç¯‡ï¼šå·²ç»æ˜¯æœ€åŽä¸€ç¯‡äº†ä¸Šä¸€ç¯‡ï¼š å˜åŽ‹å™¨ç»•çº¿æœºçº¿åœˆåŠ å·¥çš„åŠŸèƒ½ä»‹ç»?/a>
高频å˜åŽ‹å™?/a>的两ç§åŸºæœ¬ç»•法:顺åºç»•法和三明治绕法。顺åºç»•法一般的å•输出电æºï¼Œå˜åŽ‹å™¨åˆ†ä¸?span lang="EN-US">3个绕组,åˆçº§ç»•组Np,次级绕组Ns,辅助电æºç»•组Nbï¼Œç»•åˆ¶çš„é¡ºåºæ˜¯ï¼šNp--Ns--Nb。æ¤ç§ç»•法工艺简å•,易于控制ç£èŠ¯çš„å„ç§å‚æ•°ï¼Œä¸€è‡´æ€§è¾ƒå¥½ï¼Œç»•çº¿æˆæœ¬ä½Žï¼Œé€‚用于大批é‡çš„ç”Ÿäº§ï¼Œä½†æ¼æ„Ÿç¨å¤§ï¼Œè€Œè€¦åˆç”µå®¹å°ï¼ŒEMIæ¯”è¾ƒå¥½æ•…é€‚ç”¨äºŽå¯¹æ¼æ„Ÿä¸æ•感的å°åŠŸçŽ‡åœºåˆï¼Œä¸€èˆ¬åŠŸçŽ‡å°äº?span lang="EN-US">30~40W的电æºä¸æ™®é实用这ç§ç»•法ã€?/span>
三明治绕法在电æºå˜åŽ‹å™¨çš„åˆ¶ä½œè¿‡ç¨‹ä¸æ˜¯ä¸€ç§æ¯”较常è§çš„基础绕法。由于被夹在ä¸é—´çš„绕组ä¸åŒï¼Œä¸‰æ˜Žæ²»åˆåˆ†ä¸ºä¸¤ç§ç»•法,å³åˆçº§å¤¹æ¬¡çº§ï¼Œæ¬¡çº§å¤¹åˆçº§ã€‚䏋颿ˆ‘们æ¥åˆ†åˆ«ä»‹ç»ã€?span lang="EN-US">
首先我们æ¥çœ‹ç¬¬ä¸€ç§å¸¸è§çš„高频电æºå˜åŽ‹å™¨ç»•æ³•ï¼Œå³åˆçº§å¤¹æ¬¡çº§çš„绕法。这ç§ç»•法在平时的实际æ“作过程ä¸ä¹Ÿè¢«å«åšåˆçº§å¹³å‡ç»•法ï¼?
在使用这ç§åˆçº§å¹³å‡ç»•法进行电æºå˜åŽ‹å™¨çš„ç»•åˆ¶æ—¶ï¼Œå…¶å…·ä½“ç»•åˆ¶è¿‡ç¨‹å¦‚ä¸Šå›¾æ‰€å±•ç¤ºçš„æ ·å,æ“作顺åºä¸?span lang="EN-US">Np/2-Ns-Np/2-Nbã€?/span>
æŽ¥ä¸‹æ¥æˆ‘们æ¥çœ‹ä¸€ä¸‹é«˜é¢‘电æºå˜åŽ‹å™¨çš„ç¬¬äºŒç§ä¸‰æ˜Žæ²»ç»•法,次级夹åˆçº§çš„绕法。这一绕法有时候也被å«åšæ¬¡çº§å¹³å‡ç»•法,其绕制原ç†å›¾å¦‚下图图2所示,当使用这一 绕制方法进行电æºå˜åŽ‹å™¨çš„ç»•åˆ¶æ—¶ï¼Œç»•åˆ¶é¡ºåºä¸?span lang="EN-US">Ns/2-Np-Ns/2-Nbã€‚å½“è¾“å‡ºæ˜¯ä½ŽåŽ‹å¤§ç”µæµæ—¶ï¼Œä¸€èˆ¬é‡‡ç”¨æ¤ç§ç»•法居多ã€?/span>
1ã€ä¸‰æ˜Žæ²»ç»•法å¯ä»¥å‡å°‘å˜åŽ‹å™¨çš„æ¼æ„Ÿï¼Œè€Œå‡å°‘æ¼æ„Ÿå¸¦æ¥çš„好处是电压尖峰会é™ä½Žï¼Œä½¿MOSFET的电压应力é™ä½?/span>
2ã€æ”¹å–?span lang="EN-US">EMI:由MOSFET与散çƒç‰‡å¼•起的共模干扰电æµä¹Ÿå¯ä»¥é™ä½Žï¼Œä»Žè€Œæ”¹å–?span lang="EN-US">EMI;由于在åˆçº§ä¸é—´åŠ å…¥äº†ä¸€ä¸ªæ¬¡çº§ç»•ç»„ï¼Œæ‰€ä»¥å‡å°‘了å˜åދ噍åˆçº§çš„层间分布电容,而层间电容的å‡å°‘,就会使电路ä¸çš„寄生振è¡å‡å°‘ï¼ŒåŒæ ·å¯ä»¥é™ä½?span lang="EN-US">MOSFET与次级整æµç®¡çš„电压电æµåº”力,改善EMIã€?/span>
以上就是å°ç¼–为大家总结的关äº?/span>高频å˜åŽ‹å™¨çš„ä¸‰æ˜Žæ²»ç»•æ³?/span>的介ç»ï¼Œå¸Œæœ›èƒ½å¤Ÿå¸®åˆ°å¤§å®¶ï¼Œå¦‚果还想了解更多的高频å˜åŽ‹å™?/span>资讯,那就点å‡?/span>高频å˜åŽ‹å™?/span>资讯å§ï¼