高频å˜åŽ‹å™¨çš„ä½œç”¨æœ‰å“ªäº?
  高频å˜åŽ‹å™?/strong>ä¸»è¦æ˜¯åº”用于高频开关ä¸,它的工作频率超过了ä¸é¢‘电æºå˜åދ噍,é€šå¸¸åœ¨ä¼ é€åŠŸçŽ‡æ¯”è¾ƒå¤§çš„æƒ…å†µä¸‹ï¼ŒåŠŸçŽ‡å™¨ä»¶ä¸€èˆ¬é‡‡ç”?IGBT,由于IGBTå˜åœ¨å…³æ–ç”µæµæ‹–å°¾çŽ°è±¡ï¼Œæ‰€ä»¥å·¥ä½œé¢‘çŽ‡æ¯”è¾ƒä½Žï¼›ä¼ é€åŠŸçŽ‡æ¯”è¾ƒå°çš„,å¯ä»¥é‡‡ç”¨MOSFET,工作频率就比较高ã€?/p>
  å˜åŽ‹å™¨ä¿æŠ¤è£…ç½®æ˜¯é›†ä¿æŠ¤ã€ç›‘è§†ã€æŽ§åˆ¶ã€é€šä¿¡ç‰å¤šç§åŠŸèƒ½äºŽä¸€ä½“çš„ç”µåŠ›è‡ªåŠ¨åŒ–é«˜æ–°æŠ€æœ¯äº§å“ï¼Œæ˜¯æž„æˆæ™ºèƒ½åŒ–å¼€å…³æŸœçš„ç†æƒ³ç”µå™¨å•元。所有的å˜åŽ‹å™¨çš„ä½œç”¨éƒ½æ˜¯å°†ç”µèƒ½è½¬åŒ–ä¸ºç£èƒ½ï¼Œç„¶åŽå°†ç£èƒ½è½¬åŒ–çš„ç”µèƒ½ï¼ŒåŒæ—¶åˆ©ç”¨åŒæ•°æ¯”的关系实现å˜åŽ‹çš„ã€‚è‡³äºŽé«˜é¢‘å˜åŽ‹å™¨å’Œä½Žé¢‘å˜åދ噍åªä¸è¿‡æ˜¯å„è‡ªçš„å·¥ä½œé¢‘çŽ‡è¦æ±‚çš„ä¸åŒè¿›è¡Œåˆ†ç±»ï¼Œå½“ç„¶å› ä¸ºå…¶å„自的ç£èŠ¯åˆ†åˆ«é€‚ç”¨äºŽä¸ç”¨çš„频率所以也是ä¸èƒ½é€šç”¨çš„ã€?/p>
  高频å˜åދ噍å¯ä»¥å¯¹é«˜é¢‘脉冲进行å˜åŽ‹ï¼Œæ™®é€šå˜åދ噍é“èŠ¯æ²¡æœ‰é“æ°§ä½“ç£èŠ¯çš„å¯¼ç£çŽ‡é«˜ã€‚å› æ¤åšä¸åˆ°è¿™ä¸€ç‚¹æé«˜è½¬æ¢æ•ˆçŽ‡ï¼Œä½¿ç”¨é«˜é¢‘å˜åŽ‹å™¨çš„ç”µæºï¼?由于电æºç®¡å·¥ä½œåœ¨çž¬é—´å¯¼é€?截æ¢çš„状æ€ï¼Œä¹Ÿå°±æ˜¯ä¸€å¼€ä¸€å…³ä¸åœè½¬æ¢çš„状æ€ï¼Œå› æ¤æˆ‘们称之“开关电æº?rdquo;ã€‚æ¯”ä¼ ç»Ÿé“芯å˜åދ噍æŸè€—低30%å·¦å³ã€‚é—æ†¾çš„æ˜¯æ•…障率相对è¦é«˜ä¸€äº›ã€‚å¯ä»¥å€Ÿé‰´çš„æ˜¯è€å¼é•‡æµå™¨å’Œç”µå镇æµå™¨çš„对比.