æµ…æžé«˜é¢‘å˜åŽ‹å™¨å·¥ä½œé¢‘çŽ‡åˆ†ç±?/h3>
æ–‡ç« å‡ºå¤„ï¼?a href="">æ·±åœ³å¸‚æ™¨é£žç”µåæœ‰é™å…¬å?/a>网责任编辑:NSW作者:NSW人气ï¼?span
id="cntrHits">-å‘表时间ï¼?015-08-17 10:00:00
.jpg)
ã€€ã€€ä¸€ã€æŒ‰é¢‘率范围分为
  1. kHz级高频å˜åŽ‹å™¨ï¼Œå®ƒæ˜¯æŒ‡å·¥ä½œé¢‘çŽ‡åœ?0kHzè‡³å‡ ç™¾kHz的高频å˜åދ噍;
  2. MHz级高频å˜åŽ‹å™¨ï¼Œå®ƒæ˜¯æŒ‡å·¥ä½œé¢‘çŽ‡åœ?MHz以上的高频å˜åދ噍ã€?/span>
  二�按工作频带分�/span>
  1. å•频或窄频级高频å˜åŽ‹å™¨ï¼Œå®ƒæ˜¯æŒ‡å·¥ä½œé¢‘çŽ‡ä¸ºå•é¢‘æˆ–æ˜¯ä¸€ä¸ªå¾ˆçª„çš„é¢‘æ®µï¼Œå¦‚å˜æ¢å™¨å˜åŽ‹å™¨ã€æŒ¯è¡å™¨å˜åދ噍ç‰;
  2. 宽频带å˜åŽ‹å™¨ï¼Œå®ƒæ˜¯æŒ‡å·¥ä½œåœ¨ä¸€ä¸ªå¾ˆå®½é¢‘çŽ‡èŒƒå›´å†…çš„å˜åŽ‹å™¨ï¼Œå¦‚é˜»æŠ—å˜æ¢å™¨å˜åދ噍ã€é€šè®¯å˜åދ噍ã€å®½å¸¦åŠŸçŽ‡æ”¾å¤§å™¨å˜åދ噍ç‰ã€?/span>
  高频å˜åŽ‹å™¨ä¼ é€åŠŸçŽ‡æ¯”è¾ƒå¤§çš„æƒ…å†µä¸‹ï¼ŒåŠŸçŽ‡å™¨ä»¶ä¸€èˆ¬é‡‡ç”?IGBT,由于IGBTå˜åœ¨å…³æ–ç”µæµæ‹–尾现象,所以工作频率比较低;ä¼ é€åŠŸçŽ‡æ¯”è¾ƒå°çš„a,å¯ä»¥é‡‡ç”¨MOSFET,工作频率就比较高ã€?/span>
ä¸‹ä¸€ç¯‡ï¼šç”µæ„Ÿå‚æ•°æœ‰å“ªäº›ï¼Ÿä¸Šä¸€ç¯‡ï¼š 共模电感ç£èŠ¯æ€Žä¹ˆé€‰æ‹©ï¼?/a>
ã€€ã€€ä¸€ã€æŒ‰é¢‘率范围分为
  1. kHz级高频å˜åŽ‹å™¨ï¼Œå®ƒæ˜¯æŒ‡å·¥ä½œé¢‘çŽ‡åœ?0kHzè‡³å‡ ç™¾kHz的高频å˜åދ噍;
  2. MHz级高频å˜åŽ‹å™¨ï¼Œå®ƒæ˜¯æŒ‡å·¥ä½œé¢‘çŽ‡åœ?MHz以上的高频å˜åދ噍ã€?/span>
  二�按工作频带分�/span>
  1. å•频或窄频级高频å˜åŽ‹å™¨ï¼Œå®ƒæ˜¯æŒ‡å·¥ä½œé¢‘çŽ‡ä¸ºå•é¢‘æˆ–æ˜¯ä¸€ä¸ªå¾ˆçª„çš„é¢‘æ®µï¼Œå¦‚å˜æ¢å™¨å˜åŽ‹å™¨ã€æŒ¯è¡å™¨å˜åދ噍ç‰;
  2. 宽频带å˜åŽ‹å™¨ï¼Œå®ƒæ˜¯æŒ‡å·¥ä½œåœ¨ä¸€ä¸ªå¾ˆå®½é¢‘çŽ‡èŒƒå›´å†…çš„å˜åŽ‹å™¨ï¼Œå¦‚é˜»æŠ—å˜æ¢å™¨å˜åދ噍ã€é€šè®¯å˜åދ噍ã€å®½å¸¦åŠŸçŽ‡æ”¾å¤§å™¨å˜åދ噍ç‰ã€?/span>
  高频å˜åŽ‹å™¨ä¼ é€åŠŸçŽ‡æ¯”è¾ƒå¤§çš„æƒ…å†µä¸‹ï¼ŒåŠŸçŽ‡å™¨ä»¶ä¸€èˆ¬é‡‡ç”?IGBT,由于IGBTå˜åœ¨å…³æ–ç”µæµæ‹–尾现象,所以工作频率比较低;ä¼ é€åŠŸçŽ‡æ¯”è¾ƒå°çš„a,å¯ä»¥é‡‡ç”¨MOSFET,工作频率就比较高ã€?/span>